1. 征稿范圍

　　半導體新材料的研發(fā)、半導體器件(CMOS器件、有機半導體器件、化合物半導體器件、半導體光電器件、薄膜晶體管、存儲器等)和技術、集成電路設計與應用、先進半導體制造技術和封裝技術、可靠性(功率器件可靠性、ESD技術等)、檢測技術與設備等領域國內(nèi)外的研究進展和最新研究成果。主要欄目：趨勢與展望，半導體材料與器件，半導體制備技術，集成電路設計與應用，封裝、檢測與設備。

　　為使您的文章符合標準化出版要求，并得到更加及時的處理，請您務必閱讀并了解本刊對投稿的一些要求。

　　2. 投稿方法

　　①系統(tǒng)投稿：請登錄《半導體技術》網(wǎng)站(http://www.bdtj.cbpt.cnki.net)“作者投稿” 一欄進行投稿(推薦)

　　②郵箱投稿：bdtj1339@vip.163.com

　　如有問題請聯(lián)系編輯部郵箱bdtj1339@vip.163.com，或致電編輯部電話0311-87091339進行咨詢。

　　3. 投稿要求

　　♦ 作者在投稿前，須準備好全部作者簽字、單位蓋章的論文審查證明，在投稿系統(tǒng)中上傳電子掃描版。投稿作者必須遵守學術規(guī)范和準則，勿一稿多投，杜絕泄密、抄襲、剽竊等行為。

　　♦ 來稿件請用WORD 文檔排版。

　　♦ 稿件應論點明確、數(shù)據(jù)可靠、條理清晰、文字精煉，論文撰寫符合國家出版標準和規(guī)范。

　　♦ 英文稿件要求語法規(guī)范、用詞準確、表述無誤。

　　♦ 來稿請附第一作者及通信作者的聯(lián)系方式，包括通信地址及郵編、固定或移動電話、E-mail，以便及時與作者聯(lián)系。

　　♦ 在稿件的最后一頁需附上作者簡介、第一作者近期1寸免冠證件照片(JPG格式)。若第一作者為在校學生，還需提供導師的個人簡介(作者簡介總數(shù)不超過3個)，并確認導師是否同意投稿，且文中所有內(nèi)容(例如：數(shù)據(jù))已經(jīng)核實準確無誤。

　　4. 審稿流程

　　收到稿件后，編輯部將通過“科技期刊學術不端文獻檢測系統(tǒng)”、網(wǎng)絡搜索文獻對比和編輯部綜合審查等對稿件進行初審(5~7個工作日)，無論初審通過與否，編輯部都會盡快告知。初審通過后的稿件將送至相關領域?qū)＜疫M行“雙盲審稿”，編輯部于40天左右將評審意見發(fā)給作者。作者應將修改后的文稿及時(3周內(nèi))返回編輯部，審閱通過后將進行編輯加工和印刷出版。

　　5. 注意事項

　　自作者投稿之日起，視所有署名作者同意將文章的版權(quán)轉(zhuǎn)讓給《半導體技術》編輯部。本刊已許可中國知網(wǎng)、美國《化學文摘》(CA)及英國INSPEC等數(shù)據(jù)庫以數(shù)字化方式復制、匯編、信息網(wǎng)絡傳播本刊全文。所有著作權(quán)轉(zhuǎn)讓費用均包含在論文刊登后《半導體技術》期刊支付的稿酬中，不再另行支付費用。作者向本刊提交文章發(fā)表的行為即視為同意我編輯部上述聲明。如有異議，請在來稿時說明，本刊將進行適當處理。