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電力期刊發(fā)表論文一種新型低壓上電復位電路設計

所屬欄目:電力論文 發(fā)布日期:2014-05-06 09:24 熱度:

  在電子系統上電時,電源通常需要經過比較長的時間才能達到穩(wěn)定狀態(tài)。在這個過程中,數字集成電路或數模混合集成電路中的寄存器、控制器等單元的狀態(tài)是不確定的,這可能會導致芯片不能正常工作[1]。因此需要一種電路在電源上電時,對那些不確定的狀態(tài)進行初始化,我們通常使用上電復位電路來實現這種功能。

  摘要:基于0.18mm工藝設計了一種可集成到低電源電壓數字IC或數模混合IC的上電復位電路。該POR(PowerOnReset)具有電源上電和掉電檢測功能,且對電源上電的速度不敏感,故可通過使用遲滯比較器實現對電源噪聲的免疫。corner仿真結果表明,該電路可以實現大于100ms的延時。相比于傳統POR,該電路工作電壓低、性能可靠、結構簡單。

  關鍵詞:電力期刊發(fā)表論文,上電復位電路,延時,電源檢測,閾值電壓

  0引言

  隨著集成電路工藝的進步,芯片的工作電壓越來越低,對POR的性能要求也更高,傳統的POR電路越來越難以滿足如今的需求[2-5]。本文通過對傳統POR的研究,基于0.18μm設計了一種低壓低功耗的上電復位電路,該電路結構也適用于更小特征尺寸的CMOS工藝[8-10]。

  1POR電路介紹

  圖1(a)所示為傳統的片外POR電路,其主要由電阻、電容和二極管構成,電路的時間延遲由RC決定,當電源下電時,反向二極管對電容放電。這種電路的主要缺點是依賴電源的上電速度,在電源的上電速度較慢時,POR電路可能無法正常工作。圖1(b)為傳統的片上集成POR電路,檢測電壓由NMOS和PMOS的閾值電壓決定,當電源電壓高于檢測電壓時,電流鏡對電容充電,當充電電壓高于觸發(fā)器閾值時,電路復位。這種電路的缺點是在電源電壓低于閾值電壓時,電路也有充電電流存在,會減小電路的延遲時間;其次,管子的閾值電壓受工藝、溫度影響較大,再計入電源電壓的影響,這種電路延遲時間的離散度會非常大。

  圖2所示的POR電路由帶隙基準電壓做參考電壓,它的檢測電壓值非常精確,誤差通常在5%以內。同時和其他POR相比,延遲時間受工藝、溫度、電壓的影響也較小。市場上廣泛應用的單片POR芯片811/812系列,便采用這種結構。圖2電路雖然性能優(yōu)良,但是在集成電路的器件特征尺寸越來越小、電源電壓甚至低于帶隙基準的時候,這種結構顯然不利于片上集成。

  圖1傳統POR電路

  圖2基于帶隙基準的POR

  2POR電路設計

  本文設計的POR電路如圖3所示,M1~M8構成了電源電壓檢測電路,其中M1~M4和R1、R2用來產生偏置電流,INV1和M7,M8構成具有遲滯能力的比較器,上電檢測點和下電檢測點的回差電壓大于100mV。INV2、T1用來產生時間延遲,T1遲滯比較器用來產生復位信號。相比于文獻[9,10]的設計,本文POR大大提高了對噪聲的免疫能力,同時增加了延遲時間,提高了電路可靠性。

  圖3POR電路

  當電路啟動時,所有節(jié)點電壓的初始狀態(tài)為0,在0≤VDDIds1=Ids3,Ids3=Ids4,Ids5=Ids6(1)

  Ids4=Vgs1/R1(2)

  Vdet=Vgs1+Vgs2(3)

  在VDD超過檢測電壓Vdet時,Vtri迅速拉低,BUF1打開,M9開始對MOS電容Mc充電,當Vc大于T1的閾值電壓時,T1輸出復位信號。從VDD達到Vdet到T1輸出復位信號的時間延遲TD由Ids9、Mc電容和T1閾值電壓決定。

  在電路下電時,POR的工作過程是上電時的逆過程,由INV1、T7、T8構成的遲滯比較器使得下電檢測電壓低于上電檢測值,其回差電壓的大小可以通過改變M7的尺寸調整。當電源電壓小于下電檢測值時,Vs變?yōu)榈碗娖剑琕c節(jié)點通過BUF1迅速放電到0。由于Vc放電速度遠高于充電速度,該POR在上電的時候,即使出現由電源噪聲導致檢測電路反復觸發(fā)的現象,Vc依然會保持低電平,這極大的提高了電路對噪聲的抗干擾能力。

  3電路仿真

  為了模擬POR電路在電源上電時間為1ms時的工作情況,做不同corner組合的仿真。主要corner的仿真結果如圖4所示,仿真數據如表1所列。上電檢測電壓Vdet由于依賴于NMOS的閾值,隨工藝變化較大,仿真結果清晰地表明了這點。

  表1仿真仿真設置VdetTD

  MOS(tt),Res(tt),1.8V,271.01V193ms

  MOS(ss),Res(ff),1.98V,1251.22V145ms

  MOS(ff),Res(ss),1.68V,-45754mV232ms

  典型工作條件下,Vdet和TD的蒙特卡洛仿真結果如圖5和圖6所示,其方差分別為25.76mV和2.72ms。

  圖4主要corner仿真

  圖5上電檢測電壓蒙特卡洛仿真

  圖6TD蒙特卡洛仿真

  4結語本文基于0.18mm工藝設計了一種適用于低電源電壓IC的可集成上電復位電路,該POR具有電源上電和掉電檢測能力,對電源的上電速度和噪聲不敏感,電路總功耗約9mW。所有corner的仿真結果表明,該電路可實現大于100ms的延時,蒙特卡洛仿真顯示該電路受工藝批次和器件失配影響較小。

  參考文獻

  [1]張俊安,陳良,楊毓軍,等.一種基于0.18μmCMOS工藝的上電復位電路[J].微電子學,2012,42(2):238–241.

  [2]YASUDAT,YAMAMOTOM,NISHIT.Apower-onresetpulsegeneratorforlowvoltageapplications[C]//IEEEInternationalSymposiumonCircuitsandSystems.[S.l.]:IEEE,2006(4):599-601.

  [3]LAIXin-quan,YUWei-xue,LIGang,etal.Alowquiescentcurrentandresettimeadjustablepower-onresetcircuit[C]//ASICON20056thInternationalConferenceOnASIC.Shanghai,China:ASICON,2005(2):559-562.

  [4]LAZARA,FLOREAM,BURDIAD.Abandgapreferencecircuitdesignforpower-onresetrelatedcircuits[C]//InternationalSymposiumonSignals,CircuitsandSystems.[S.l.]:ISSCS,2009:1-4.

  [5]TANZAWAT.Aprocess-andtemperature-tolerantpower-onresetcircuitwithaflexibledetectionlevelhigherthanthebandgapvoltage[C]//IEEEInternationalSymposiumonCircuitsandSystems.[S.l.]:IEEE,2008:2302-2305.

  [6]張晉,蔣林,曾澤滄.一種新型的片內上電復位電路的設計[J].西安郵電學院學報,2009,14(5):13–16.

  [7]彭偉娣,張文杰,謝亮,等.一種嵌入式上電復位電路的設計與芯片實現[J].固體電子學研究與進展,2013,33(2):179–182.

文章標題:電力期刊發(fā)表論文一種新型低壓上電復位電路設計

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